原子层薄膜沉积仪
日期:2020-08-05作者:来源:访问次数:

联系人及邮箱王科范 kfwang@henu.edu.cn

放置地点B座216房间;

设备简介:型号:Angstrom-Dep V;生产厂家:美国埃米薄膜技术公司;

仪器主要用途

设备可在晶圆表面或纳米颗粒表面沉积共形的氧化物、氮化物和硫化物等薄膜和金属薄膜,并可对薄膜厚度在原子层量级进行精确控制。

主要规格及技术指标:

1.晶片样品台尺寸:直径可达4英寸;

2.基底可加热至520 ℃,腔壁可加热至150 ℃;

3.等离子ALD附件:远程脉冲等离子源1套, 无需水冷,功率可到300瓦,用来在晶片样品上生长金属、氮化物和硫化物薄膜;

4.粉末ALD处理腔体容积可达250 mL,处理温度可达350 ℃;

5.配备八路前驱体源,分别为六路固液前驱体加热源和两路气态前驱体源,配备前驱体加热器3套。


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